জ্যোতির্কৌশল/সিসিডি/মস ধারক

উইকিবই থেকে

ধারক হিসেবে মসফেট[সম্পাদনা]

মস ক্যাপাসিটরের ধারকত্ব-ভোল্টেজ সম্পর্ক

চিত্রে একটি পিমসের উদাহরণ দেয়া হলেও এটা সত্যি যে, একেবারে সাধারণ মসের গঠন আরও সহজ। সবার উপরে ধাতু, তার নিচে সিলিকন ডাই অক্সাইড এবং সবার নিচে সিলিকন বা অন্য যেকোন অর্ধপরিবাহী যোগ করলেই একটি মসফেট তৈরি হয়ে যায়। উল্লেখ্য এই সাধারণতম মসফেটের সাথে ধারকের (ক্যাপাসিটর) বিশেষ মিল রয়েছে। একমাত্র পার্থক্য হচ্ছে সমতল প্লেট ধারকে সবার নিচের স্তরটিও ধাতু দিয়ে তৈরি হয়, সিলিকন ডাই অক্সাইডের দুই পাশে ধাতু বসিয়ে দিলেই ধারক তৈরি হয়ে যায়, যেখানে অক্সাইডটি ডাইইলেকট্রিক হিসেবে কাজ করে।

গঠনের এতো মিলের কারণে কেবল নয়, কাজের দিক দিয়েও মসফেটের সাথে ধারকের রয়েছে অনেক মিল। এজন্য জংশন মসফেটকে প্রায়শই মস ধারক বা মস ক্যাপাসিটর বলে ডাকা হয়। কার্যপ্রণালীর দিক দিয়েও তাদের মিল উল্লেখযোগ্য। পাশের চিত্র থেকেই তা বোঝা যাচ্ছে। চিত্রটিতে হচ্ছে একটি আদর্শ ধারকের ধারকত্ব, যার সাপেক্ষে মস ধারকের ধারকত্ব নরমালাইজেশন করা হয়েছে। দেখা যাচ্ছে ফ্ল্যাট ব্যান্ড ভোল্টেজ পর্যন্ত দুয়ের ধারকত্ব একেবারে সমান, এই ভোল্টেজের পর মস ধারকের ধারকত্ব কমতে থাকে এবং থ্রেশল্ড ভোল্টেজের পর তা সর্বনিম্নে পৌছায়। এর পর ভোল্টেজ বাড়াতে থাকলেও ধারকত্বের কোন পরিবর্তন ঘটে না।